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脈沖激光分子束沉積系統(tǒng)是高能脈沖(100ns) 電子束( 約1000 A,15 keV) 在靶材上穿透將近1 um，使靶材快速蒸發(fā)形成等離子體。對(duì)靶材的非平衡提取（燒灼）使等離子體的組成與靶材的化學(xué)計(jì)量組成一致。在條件下，靶材的化學(xué)計(jì)量與沉積薄膜的保持一致。所有的固態(tài)材料如金屬、半導(dǎo)體和絕緣體等
原理分子束外延的英文縮寫(xiě)為MBE，這是一種在晶體基片上生長(zhǎng)高質(zhì)量的晶體薄膜的新技術(shù)。在超高真空條件下，由裝有各種所需組分的爐子加熱而產(chǎn)生的蒸氣，經(jīng)小孔準(zhǔn)直后形成的分子束或原子束，直接噴射到適當(dāng)溫度的單晶基片上，同時(shí)控制分子束對(duì)襯底掃描，就可使分子或原子按晶體排列一層層地“長(zhǎng)”在基片上形成薄膜。特點(diǎn)（
? ? ? ?分子束外延的英文縮寫(xiě)為MBE，這是一種在晶體基片上生長(zhǎng)高質(zhì)量的晶體薄膜的新技術(shù)。在超高真空條件下，由裝有各種所需組分的爐子加熱而產(chǎn)生的蒸氣，經(jīng)小孔準(zhǔn)直后形成的分子束或原子束，直接噴射到適當(dāng)溫度的單晶基片上，同時(shí)控制分子束對(duì)襯底掃描，就可使分子或原
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國(guó)成儀器（常州）有限公司目前成熟并應(yīng)用于市場(chǎng)的產(chǎn)品有：MBE、蒸發(fā)源、rheed
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